和我们一起放飞理想吧!
  • 本栏最新文章
摄影专辑AD
  • 本栏推荐文章

镓驭功率电器的未来!镓未来科技发布三款快充专用 GaN 功率器件

时间:2021-07-20    作者:admin    来源:未知

  珠海镓未来科技是国内领先的氮化镓功率器件生产企业,致力于 Cascode 结构氮化镓产品的研发和生产,该结构结合了硅器件的易用性和氮化镓器件的高频率高效率的特点,可以实现高达 10 千瓦的高功率密度电源解决方案。

  相别于普通增强型氮化镓功率器件不超过 7.5V 的栅极耐压,G1N65R480PA, G1N65R240PB 和 G1N65R150PB 的栅极可以耐受的极限电压为 20V,这就可以兼容用于驱动超结器件的控制器。这些控制器的驱动电压通常为 12V,如果用于驱动普通增强型氮化镓器件,需要增加分压阻容网络和钳位齐纳二极管 , 驱动线 个器件。而采用镓未来的氮化镓器件,驱动线 个电阻及一个二极管,与传统硅超结器件相同,简洁的外围电路有效降低了占用的 PCB 面积,特别适合小尺寸的快充设计。

  普通增强型氮化镓的阈值电压通常不超过 1.7V,这与硅超结器件(典型值一般在 3V 左右)相比,其抗噪声干扰能力降低,增加了误导通的风险了。因此产品封装和 Layout 处理起来相对比较麻烦,需要尽可能减少源极寄生电感的影响。镓未来科技将开通阈值电压提高到了 2.2V, 可以有效降低栅极噪声带来的误导通风险,电源产品设计更为容易。对于更大功率的应用,镓未来可以通过内置硅管工艺的调整,将阈值电压设定到 3V,以兼容硅超结器件的驱动。

  在高压应用中,尽管氮化镓器件可以大大降低开关损耗,但存在一个对导通损耗不利的特性,称为动态内阻。从高压阻断状态变化成导通状态后的一小段时间,氮化镓器件不能立刻工作到长时间导通的内阻状态(静态内阻),此时的阻值高于静态内阻。普通增强型氮化镓器件比静态上浮 30% 左右,设计高频充电器的时候需额外留出该导通损耗的裕量。镓未来科技采用特殊工艺,将动态内阻上浮控制在 10% 以内,中金心高手论坛,降低了导通损耗,提高了转换效率。

  珠海镓未来科技有限公司是专注于第三代半导体 GaN-on-Si 器件技术创新研发与应用的高端氮化镓功率器件设计制造商,核心团队由 IEEE Fellow 吴毅锋博士领衔,深港微电子学院创始人及前华为海思化合物半导体创始成员组成,具有成熟的产业化研发和市场运营经验。镓未来致力于为业界提供从 30W 到 10KW 的氮化镓器件及系统解决方案,并可实现 10KW 和 900V 氮化镓器件的量产。六开彩开奖现场直播用,目前,镓未来已完成多轮融资,投资方包括境成资本、珠海科创投、大横琴集团等,融资金额过亿。未来,镓未来将通过核心技术自研 + 全产业链的布局,推动高端氮化镓功率器件大规模产业化应用。

  地址:广东省珠海市香洲区横琴镇环岛东路 3000 号 icc 横琴国际商务中心 2 座 23

  镓未来还参加了 7 月 30 日充电头网主办的2021 全球第三代半导体快充产业峰会,展位号 A08-A09,欢迎莅临展位洽谈。

上一篇:中联电气:矿用隔爆型变压器业龙头
下一篇:功率元器件